氧化釩與多晶硅的差別和優(yōu)缺點(diǎn)
發(fā)布時(shí)間：2019/1/18 23:37:09 瀏覽次數(shù)：6583
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氧化釩與多晶硅探測(cè)器是目前紅外熱像儀最普遍使用的2種探測(cè)器，氧化釩探測(cè)器統(tǒng)稱VOX探測(cè)器，多晶硅探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)在于因目前工藝的成熟，一致性更高，同等成本下具備更好的NETD，探測(cè)能力更強(qiáng)大，高低溫特性更好。缺陷在于成像質(zhì)量不如氧化釩，容易被太陽灼傷。氧化釩探測(cè)器目前國內(nèi)工藝比較落后，NETD差，大部分只能用于成像，探測(cè)能力較差，另外耐高溫特性差，優(yōu)點(diǎn)在于成像質(zhì)量更好，不容易被太陽灼傷。
常見氧化釩分辨率：320 240（FLIR） 336 256（FLIR或國產(chǎn)）640 512（FLIR或國產(chǎn)）
多晶硅： 384 288 或640 480
目前紫川方案2種探測(cè)器均可以很好地支持
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